晶體管

型號	描述	庫存
NVMFS5C682NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,822
NVMFS5C682NLT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,338
NVMFS5C682NLWFAFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta), 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存7,506
NVMFS5C682NLWFAFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta), 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,724
NVMFS5C682NLWFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,190
NVMFS5C682NLWFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,320
NVMFS5H663NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 60V LOW COSS 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.2A (Ta), 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 56µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1131pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存14,058
NVMFS5H663NLWFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V DFN5 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,034
NVMFS6B03NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,884
NVMFS6B03NLT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,832
NVMFS6B03NLWFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,896
NVMFS6B03NLWFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,632
NVMFS6B03NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,646
NVMFS6B03NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,598
NVMFS6B03NWFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,228
NVMFS6B03NWFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,848
NVMFS6B05NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存4,896
NVMFS6B05NLT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,996
NVMFS6B05NLWFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,816
NVMFS6B05NLWFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,328
NVMFS6B05NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,590
NVMFS6B05NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,634
NVMFS6B05NWFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,790
NVMFS6B05NWFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,708
NVMFS6B14NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 11A DFN5 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,408
NVMFS6B14NLT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存2,538
NVMFS6B14NLWFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 11A DFN5 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,694
NVMFS6B14NLWFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存4,932
NVMFS6B14NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,232
NVMFS6B14NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,742

NVMFS5C682NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,822

NVMFS5C682NLT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,338

NVMFS5C682NLWFAFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta), 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存7,506

NVMFS5C682NLWFAFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta), 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,724

NVMFS5C682NLWFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,190

NVMFS5C682NLWFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,320

NVMFS5H663NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 60V LOW COSS

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 56µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1131pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存14,058

NVMFS5H663NLWFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V DFN5

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,034

NVMFS6B03NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,884

NVMFS6B03NLT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,832

NVMFS6B03NLWFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,896

NVMFS6B03NLWFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,632

NVMFS6B03NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,646

NVMFS6B03NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,598

NVMFS6B03NWFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,228

NVMFS6B03NWFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 198W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,848

NVMFS6B05NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存4,896

NVMFS6B05NLT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,996

NVMFS6B05NLWFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,816

NVMFS6B05NLWFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,328

NVMFS6B05NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,590

NVMFS6B05NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,634

NVMFS6B05NWFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,790

NVMFS6B05NWFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,708

NVMFS6B14NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 11A DFN5

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,408

NVMFS6B14NLT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存2,538

NVMFS6B14NLWFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 11A DFN5

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,694

NVMFS6B14NLWFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存4,932

NVMFS6B14NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,232

NVMFS6B14NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,742

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