晶體管

型號	描述	庫存
2N4014 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 1.7µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 100mA, 1V 功率-最大: - 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存10,584
2N4029 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存3,564
2N4033 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A TO-39 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 500MHz 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存2,286
2N4033 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP SS GP AMP TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 100µA, 5V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存3,598
2N4033 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存6,408
2N4033 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS PNP SM SIGN GEN PURP 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,448
2N4033 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 1.25W 頻率-過渡: 400MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存87,048
2N4033UA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UA	庫存3,888
2N4033UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存8,352
2N4033 W/GOLD Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存2,754
2N4036 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP GP 5W 65V TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 5W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存7,920
2N4036 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 65V 1A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存17,640
2N4036 W/GOLD Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 65V 1A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,838
2N4037 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 1A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存16,836
2N4058 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存3,060
2N4104 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR-SMALL SI SMD 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1400 @ 1mA, 5V 功率-最大: 30mW 頻率-過渡: 540MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存7,326
2N4123 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,182
2N4123-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN BIPOLAR TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存3,492
2N4123BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,420
2N4123RLRM ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,348
2N4123TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,060
2N4123TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,910
2N4123TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,338
2N4123TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,636
2N4124 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,920
2N4124 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: - 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存95,586
2N4124BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,142
2N4124G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,330
2N4124_J18Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,884
2N4124_S00Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,518

2N4014

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 1.7µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 100mA, 1V
功率-最大: -
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存10,584

2N4029

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存3,564

2N4033

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A TO-39

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 500MHz
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存2,286

2N4033

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP SS GP AMP TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 100µA, 5V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存3,598

2N4033

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存6,408

2N4033

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS PNP SM SIGN GEN PURP

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,448

2N4033

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 1.25W
頻率-過渡: 400MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存87,048

2N4033UA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UA

庫存3,888

2N4033UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存8,352

2N4033 W/GOLD

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存2,754

2N4036

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP GP 5W 65V TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 5W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存7,920

2N4036

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 1A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存17,640

2N4036 W/GOLD

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 1A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,838

2N4037

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 150mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存16,836

2N4058

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存3,060

2N4104

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR-SMALL SI SMD

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1400 @ 1mA, 5V
功率-最大: 30mW
頻率-過渡: 540MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存7,326

2N4123

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,182

2N4123-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN BIPOLAR TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存3,492

2N4123BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,420

2N4123RLRM

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,348

2N4123TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,060

2N4123TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,910

2N4123TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,338

2N4123TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,636

2N4124

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,920

2N4124

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: -
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存95,586

2N4124BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,142

2N4124G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,330

2N4124_J18Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,884

2N4124_S00Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,518

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