晶體管

型號	描述	庫存
RJK4514DPK-00#T0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 22A TO3P 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,570
RJK4518DPK-00#T0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 39A TO3P 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 19.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存5,976
RJK4532DPD-00#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 4A MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,292
RJK4532DPD-E0#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,912
RJK5002DPD-00#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,790
RJK5006DPD-WS#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,678
RJK5012DPE-00#J3 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-LDPAK 包裝/箱: SC-83	庫存8,352
RJK5012DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 12A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,272
RJK5013DPE-00#J3 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 465mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-LDPAK 包裝/箱: SC-83	庫存6,660
RJK5013DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 14A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 465mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,124
RJK5014DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 19A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,880
RJK5015DPK-00#T0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存8,928
RJK5015DPM-00#T1 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PFM 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3	庫存2,358
RJK5018DPK-00#T0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 35A TO3P 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 17.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,696
RJK5020DPK-00#T0 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 40A TO3P 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 118mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 126nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存8,262
RJK5026DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 28.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,664
RJK5026DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 28.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FL 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,942
RJK5030DPD-00#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 41.7W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,358
RJK5030DPD-01#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 41.7W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,094
RJK5030DPD-02#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 41.7W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,146
RJK5030DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 28.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FL 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,304
RJK5031DPD-00#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3A MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,266
RJK5031DPD-01#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,716
RJK5033DPD-00#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6A MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,768
RJK5033DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 6A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 27.4W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FL 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,992
RJK5034DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,642
RJK5035DPP-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 10A TO220 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 765pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 29.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,434
RJK6002DPD-00#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 2A MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,662
RJK6002DPD-WS#J2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH MP3A 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MP-3A 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,830
RJK6002DPH-E0#T2 Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 2A TO251 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,574

RJK4514DPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 22A TO3P

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,570

RJK4518DPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 39A TO3P

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存5,976

RJK4532DPD-00#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 4A MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,292

RJK4532DPD-E0#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,912

RJK5002DPD-00#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,790

RJK5006DPD-WS#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,678

RJK5012DPE-00#J3

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-LDPAK
包裝/箱: SC-83

庫存8,352

RJK5012DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,272

RJK5013DPE-00#J3

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 465mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-LDPAK
包裝/箱: SC-83

庫存6,660

RJK5013DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 465mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,124

RJK5014DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 19A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,880

RJK5015DPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存8,928

RJK5015DPM-00#T1

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PFM
包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3

庫存2,358

RJK5018DPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 35A TO3P

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,696

RJK5020DPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 40A TO3P

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 118mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 126nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存8,262

RJK5026DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,664

RJK5026DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FL
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,942

RJK5030DPD-00#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41.7W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,358

RJK5030DPD-01#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41.7W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,094

RJK5030DPD-02#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41.7W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,146

RJK5030DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FL
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,304

RJK5031DPD-00#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3A MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,266

RJK5031DPD-01#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,716

RJK5033DPD-00#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6A MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,768

RJK5033DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 6A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27.4W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FL
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,992

RJK5034DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,642

RJK5035DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A TO220

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 765pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,434

RJK6002DPD-00#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2A MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,662

RJK6002DPD-WS#J2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH MP3A

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MP-3A
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,830

RJK6002DPH-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2A TO251

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,574

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