晶體管

型號	描述	庫存
RP1L080SNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MPT6 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存4,680
RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存336,810
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 4.5V Vgs（最大）: -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 550mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,762
RQ1A070ZPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存28,278
RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存2,286
RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,796
RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,968
RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 550mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存6,840
RQ1E075XNTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,940
RQ1E100XNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 550mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT8 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,514
RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存53,622
RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,708
RQ3E075ATTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 15W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,400
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存23,670
RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 295pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 15W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,718
RQ3E100ATTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ3E100AT IS THE HIGH RELIABILIT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,758
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,904
RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 15W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,264
RQ3E100MNTB1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存21,606
RQ3E110AJTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,448
RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存59,790
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,076
RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 16W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存21,960
RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,040
RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存22,614
RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,334
RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 17.2W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存28,836
RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,806
RQ3E160ADTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,312
RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 11mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,246

RP1L080SNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 8A MPT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MPT6
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存4,680

RQ1A060ZPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存336,810

RQ1A070APTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,762

RQ1A070ZPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7400pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存28,278

RQ1C065UNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存2,286

RQ1C075UNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,796

RQ1E050RPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,968

RQ1E070RPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存6,840

RQ1E075XNTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,940

RQ1E100XNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT8
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,514

RQ3C150BCTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存53,622

RQ3E070BNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,708

RQ3E075ATTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 15W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,400

RQ3E080BNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存23,670

RQ3E080GNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 295pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 15W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,718

RQ3E100ATTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ3E100AT IS THE HIGH RELIABILIT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 31A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,758

RQ3E100BNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,904

RQ3E100GNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 420pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 15W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,264

RQ3E100MNTB1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存21,606

RQ3E110AJTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,448

RQ3E120ATTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存59,790

RQ3E120BNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,076

RQ3E120GNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 16W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存21,960

RQ3E130BNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,040

RQ3E130MNTB1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存22,614

RQ3E150BNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,334

RQ3E150GNTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 17.2W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存28,836

RQ3E150MNTB1

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,806

RQ3E160ADTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2550pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,312

RQ3E180AJTB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 11mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,246

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