晶體管

型號	描述	庫存
RQ5E050ATTCL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存7,434
RQ5E065AJTCL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5E065AJ IS A SMALL SIGNAL MOSF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存3,474
RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存2,718
RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 45V 2A TSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 540mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存25,242
RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5H020TN IS A SMALL SIGNAL MOSF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存7,434
RQ5H025TNTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5H025TN IS A SMALL SIGNAL MOSF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存25,350
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5H030TN IS A MOSFET WITH G-S P 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存4,338
RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存80,838
RQ5L020SNTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5L020SN IS A MOSFET WITH G-S P 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存25,434
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5L030SN IS A SMALL SIGNAL MOSF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存7,434
RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5L035GN IS THE HIGH RELIABILIT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存6,192
RQ5P010SNTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ5P010SN IS A MOSFET WITH G-S P 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT3 包裝/箱: SC-96	庫存22,098
RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6A045AP IS THE LOW ON-RESISTAN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,904
RQ6A045ZPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6A045ZP IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存8,208
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6A050ZP IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,338
RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SC-95-6	庫存3,024
RQ6C050UNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 5A TSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存96,942
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SC-95-6	庫存3,726
RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3A TSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SC-74, SOT-457	庫存7,560
RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存25,602
RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,556
RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E035SP IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存27,546
RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 285pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存28,338
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,158
RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,002
RQ6E045RPTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E045RP IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,186
RQ6E045SNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E045SN IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,600
RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E045TN IS THE LOW ON - RESIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存25,554
RQ6E050AJTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 RQ6E050AJ IS SMALL SURFACE MOUNT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 950mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存25,074
RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5A TSMT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存8,280

RQ5E050ATTCL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存7,434

RQ5E065AJTCL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5E065AJ IS A SMALL SIGNAL MOSF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存3,474

RQ5E070BNTCL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存2,718

RQ5H020SPTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存25,242

RQ5H020TNTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5H020TN IS A SMALL SIGNAL MOSF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存7,434

RQ5H025TNTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5H025TN IS A SMALL SIGNAL MOSF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存25,350

RQ5H030TNTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5H030TN IS A MOSFET WITH G-S P

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存4,338

RQ5L015SPTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存80,838

RQ5L020SNTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5L020SN IS A MOSFET WITH G-S P

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存25,434

RQ5L030SNTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5L030SN IS A SMALL SIGNAL MOSF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存7,434

RQ5L035GNTCL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5L035GN IS THE HIGH RELIABILIT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存6,192

RQ5P010SNTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ5P010SN IS A MOSFET WITH G-S P

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT3
包裝/箱: SC-96

庫存22,098

RQ6A045APTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6A045AP IS THE LOW ON-RESISTAN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,904

RQ6A045ZPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6A045ZP IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存8,208

RQ6A050ZPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6A050ZP IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,338

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SC-95-6

庫存3,024

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存96,942

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SC-95-6

庫存3,726

RQ6E030ATTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SC-74, SOT-457

庫存7,560

RQ6E030SPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存25,602

RQ6E035ATTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,556

RQ6E035SPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E035SP IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存27,546

RQ6E035TNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 285pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存28,338

RQ6E040XNTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,158

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,002

RQ6E045RPTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E045RP IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,186

RQ6E045SNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E045SN IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,600

RQ6E045TNTR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E045TN IS THE LOW ON - RESIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存25,554

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

RQ6E050AJ IS SMALL SURFACE MOUNT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 950mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存25,074

RQ6E050ATTCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存8,280

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message