晶體管

型號	描述	庫存
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,690
SI4484EY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,066
SI4484EY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,408
SI4485DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,454
SI4486EY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,698
SI4486EY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,996
SI4487DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,398
SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存98,880
SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存19,056
SI4490DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.85A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存22,602
SI4490DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.85A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存24,054
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4620pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存26,616
SI4493DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.75mOhm @ 14A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,058
SI4493DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.75mOhm @ 14A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,236
SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 285nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9685pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,688
SI4620DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,418
SI4620DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,132
SI4621DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,474
SI4626ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,448
SI4626ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,694
SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: SkyFET®, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,220
SI4630DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存85,398
SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,344
SI4632DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11175pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,544
SI4632DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11175pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,794
SI4634DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,878
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存20,526
SI4636DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 4.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,446
SI4636DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 4.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,272
SI4638DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: SkyFET®, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4190pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 5.9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,100

SI4483EDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,690

SI4484EY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,066

SI4484EY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,408

SI4485DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,454

SI4486EY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,698

SI4486EY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,996

SI4487DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1075pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,398

SI4488DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存98,880

SI4488DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存19,056

SI4490DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.85A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存22,602

SI4490DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.85A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存24,054

SI4491EDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4620pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存26,616

SI4493DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.75mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,058

SI4493DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.75mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,236

SI4497DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 285nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9685pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,688

SI4620DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,418

SI4620DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,132

SI4621DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,474

SI4626ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,448

SI4626ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,694

SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: SkyFET®, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,220

SI4630DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存85,398

SI4630DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,344

SI4632DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11175pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,544

SI4632DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11175pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,794

SI4634DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,878

SI4634DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3150pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存20,526

SI4636DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 4.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,446

SI4636DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 4.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,272

SI4638DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: SkyFET®, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4190pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 5.9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,100

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