晶體管

型號	描述	庫存
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.05W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存2,502
SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 450µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.05W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存8,748
SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 450µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.05W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存5,454
SI6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存5,400
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存4,608
SI6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.08W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存6,282
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.08W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存7,236
SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,762
SI7100DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存6,462
SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3595pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存134,202
SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,834
SI7102DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存5,454
SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,564
SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存8,082
SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,934
SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存7,632
SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 450µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存6,678
SI7107DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 450µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,798
SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,268
SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存24,840
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存26,082
SI7110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存7,308
SI7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen III FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5860pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存8,892
SI7112DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存6,642
SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存57,576
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 27.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,580
SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存26,706
SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存279,378
SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,214
SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存27,162

SI6466ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.05W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存2,502

SI6467BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 450µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.05W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存8,748

SI6467BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 450µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.05W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存5,454

SI6469DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存5,400

SI6469DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存4,608

SI6473DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.08W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存6,282

SI6473DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.08W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存7,236

SI7100DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,762

SI7100DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存6,462

SI7101DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3595pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存134,202

SI7102DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,834

SI7102DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存5,454

SI7104DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,564

SI7104DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存8,082

SI7106DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,934

SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存7,632

SI7107DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 450µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存6,678

SI7107DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 450µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,798

SI7108DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,268

SI7108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存24,840

SI7110DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存26,082

SI7110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存7,308

SI7111EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen III
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5860pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存8,892

SI7112DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存6,642

SI7112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存57,576

SI7113ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,580

SI7113DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存26,706

SI7113DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存279,378

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,214

SI7114DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存27,162

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message