晶體管

型號	描述	庫存
SI5471DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2945pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,274
SI5473DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,382
SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存6,786
SI5475BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,392
SI5475BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存2,592
SI5475DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 1mA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,562
SI5475DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 1mA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,730
SI5475DDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,824
SI5476DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存5,652
SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存27,648
SI5479DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存2,484
SI5480DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存5,022
SI5480DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存7,956
SI5481DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存3,708
SI5481DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存6,984
SI5482DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存6,750
SI5482DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存7,596
SI5484DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存6,444
SI5484DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存5,706
SI5485DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存3,438
SI5485DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single 包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single	庫存6,426
SI5486DU-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,632
SI5486DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,222
SI5499DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 8V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1290pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,334
SI5499DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 8V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1290pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,550
SI5853CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 3.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,274
SI5853DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,464
SI5853DDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,384
SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 276pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存5,940
SI5855DC-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™ 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存8,820

SI5471DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2945pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,274

SI5473DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,382

SI5473DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存6,786

SI5475BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,392

SI5475BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存2,592

SI5475DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 1mA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,562

SI5475DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 1mA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,730

SI5475DDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,824

SI5476DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存5,652

SI5476DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存27,648

SI5479DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存2,484

SI5480DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存5,022

SI5480DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存7,956

SI5481DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存3,708

SI5481DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存6,984

SI5482DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存6,750

SI5482DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存7,596

SI5484DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存6,444

SI5484DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存5,706

SI5485DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存3,438

SI5485DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® ChipFet Single
包裝/箱: PowerPAK® ChipFET™ Single

庫存6,426

SI5486DU-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,632

SI5486DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,222

SI5499DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 8V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1290pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,334

SI5499DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 8V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1290pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,550

SI5853CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,274

SI5853DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,464

SI5853DDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,384

SI5855CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 276pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存5,940

SI5855DC-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 1206-8 ChipFET™
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存8,820

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message