晶體管

型號	描述	庫存
SIPC14N80C3X1SA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,838
SIPC18N50C3X1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,832
SIPC18N60CFDX1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,158
SIPC19N80C3X1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,128
SIPC26N50C3X1SA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,604
SIPC26N60C3X1SA5 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOL MOS SAWED WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,388
SIPC26N60CFDX1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOL MOS 600V 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,140
SIPC26N60S5X1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOL MOS SAWED WAFER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,032
SIPC30N60C3X1SA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,696
SIPC30N60CFDX1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOL MOS 600V 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,848
SIPC44N50C3X1SA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,132
SIPC46N60C3X1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,732
SIPC46N60CFDX1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,006
SIPC69N60C3X1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,714
SIPC69N65C3X1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,146
SIPC69SN60C3X2SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR NPN 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,418
SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.3A (Ta), 79A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4230pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,628
SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3610pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存25,260
SIR108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.4A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,734
SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 40V 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.6A (Ta), 133A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,142
SIR120DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V PP SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24.7A (Ta), 106A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,484
SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,128
SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1666pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存6,030
SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 71.9A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8150pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,086
SIR158DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4980pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存6,516
SIR158DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4980pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,490
SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,976
SIR164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存55,626
SIR164DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,060
SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen III FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 138nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4930pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 69.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存58,752

SIPC14N80C3X1SA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,838

SIPC18N50C3X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,832

SIPC18N60CFDX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,158

SIPC19N80C3X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,128

SIPC26N50C3X1SA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,604

SIPC26N60C3X1SA5

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOL MOS SAWED WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,388

SIPC26N60CFDX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOL MOS 600V

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,140

SIPC26N60S5X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOL MOS SAWED WAFER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
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FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,032

SIPC30N60C3X1SA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,696

SIPC30N60CFDX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOL MOS 600V

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,848

SIPC44N50C3X1SA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,132

SIPC46N60C3X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,732

SIPC46N60CFDX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,006

SIPC69N60C3X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,714

SIPC69N65C3X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,146

SIPC69SN60C3X2SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR NPN

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,418

SIR104DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4230pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,628

SIR106DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3610pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存25,260

SIR108DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 65.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,734

SIR112DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 40V

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,142

SIR120DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V PP SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,484

SIR122DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,128

SIR124DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1666pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存6,030

SIR140DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8150pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,086

SIR158DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4980pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存6,516

SIR158DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4980pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,490

SIR164ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,976

SIR164DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存55,626

SIR164DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,060

SIR165DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen III
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 138nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4930pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存58,752

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