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晶體管

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頁面 1833/2164
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型號
描述
庫存
數量
STD5NK40ZT4
STD5NK40ZT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 3A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 400V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 305pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 45W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存4,932
STD5NK50Z-1
STD5NK50Z-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 535pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存2,358
STD5NK50ZT4
STD5NK50ZT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 535pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,004
STD5NK52ZD
STD5NK52ZD

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 520V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 16.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 529pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,208
STD5NK52ZD-1
STD5NK52ZD-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 520V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 16.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 529pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存5,958
STD5NK60ZT4
STD5NK60ZT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 690pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 90W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,798
STD5NM50AG
STD5NM50AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

POWER TRANSISTORS

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 415pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 100W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,778
STD5NM50T4
STD5NM50T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 415pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 100W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,862
STD5NM60-1
STD5NM60-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 96W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存30,000
STD5NM60T4
STD5NM60T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 96W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,146
STD60N3LH5
STD60N3LH5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 48A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 48A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.8nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 60W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,748
STD60N55F3
STD60N55F3

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,490
STD60NF06T4
STD60NF06T4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 60A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1810pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,796
STD60NF3LLT4
STD60NF3LLT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 40nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±16V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2210pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 100W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,652
STD60NF55LAT4
STD60NF55LAT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 60A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 40nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1950pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,862
STD60NF55LT4
STD60NF55LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 60A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 56nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1950pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 100W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,304
STD60NH03L-1
STD60NH03L-1

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 21nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
庫存2,880
STD60NH03LT4
STD60NH03LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 21nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,358
STD64N4F6AG
STD64N4F6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 54A

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 54A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8.2mOhm @ 27A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 44nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2415pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 60W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,506
STD65N3LLH5
STD65N3LLH5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 65A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ V
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 65A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6.9mOhm @ 32.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±22V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1290pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 50W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存250,554
STD65N55F3
STD65N55F3

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,380
STD65N55LF3
STD65N55LF3

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ III
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 80A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存21,630
STD65NF06
STD65NF06

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 60A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: STripFET™ II
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 60A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 75nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,142
STD6N52K3
STD6N52K3

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 5A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH3™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 525V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 70W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存24,738
STD6N60M2
STD6N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ II Plus
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 232pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 60W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,168
STD6N62K3
STD6N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH3™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 620V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5.5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 50µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 25.7nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 706pF @ 50V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 90W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存37,314
STD6N65M2
STD6N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 9.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±25V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 226pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 60W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存6,840
STD6N80K5
STD6N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH5™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.5A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 7.5nC @ 10V
  • Vgs(最大): 30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 255pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存90,744
STD6N90K5
STD6N90K5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: MDmesh™ K5
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 900V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 110W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,544
STD6N95K5
STD6N95K5

STMicroelectronics

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 9A DPAK

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: SuperMESH5™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 950V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 9A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 450pF @ 100V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 90W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存120,984