晶體管

型號	描述	庫存
2N5655G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10mV 功率-最大: 20W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存4,518
2N5657 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: SOT-32-3	庫存2,322
2N5657G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10V 功率-最大: 20W 頻率-過渡: 10MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存13,566
2N5660 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,056
2N5661 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,920
2N5661U3 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,472
2N5662 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,762
2N5664 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,474
2N5665 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,276
2N5666 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,390
2N5671 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存58
2N5679 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP 100V 1A 10W /2N5681 COMPLMT 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存2,304
2N5680 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP 120V 1A 10W /2N5682 COMPLMT 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存7,686
2N5680 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 120V 1A TO-39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)	庫存4,104
2N5681 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,418
2N5682 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN 120V 1A 10W /2N5680 COMPLMT 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存5,382
2N5683 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,374
2N5684 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 50A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AE 供應商設備包裝: TO-3	庫存4,536
2N5684 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,086
2N5684G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 50A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V 功率-最大: 300W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AE 供應商設備包裝: TO-3	庫存4,860
2N5685 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,582
2N5686 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,192
2N5686G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 50A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V 功率-最大: 300W 頻率-過渡: 2MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AE 供應商設備包裝: TO-3	庫存7,908
2N5769 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 15V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 400µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 350mV 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,142
2N5769 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS NPN SWITCHING 15V 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,086
2N5771 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,356
2N5771_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.2A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,762
2N5771_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.2A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,464
2N5771_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.2A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,082
2N5771_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.2A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,708

2N5655G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10mV
功率-最大: 20W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存4,518

2N5657

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: SOT-32-3

庫存2,322

2N5657G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 10V @ 100mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 10V
功率-最大: 20W
頻率-過渡: 10MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存13,566

2N5660

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,056

2N5661

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,920

2N5661U3

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,472

2N5662

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,762

2N5664

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,474

2N5665

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,276

2N5666

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,390

2N5671

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存58

2N5679

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP 100V 1A 10W /2N5681 COMPLMT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存2,304

2N5680

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP 120V 1A 10W /2N5682 COMPLMT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存7,686

2N5680

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 120V 1A TO-39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

庫存4,104

2N5681

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,418

2N5682

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN 120V 1A 10W /2N5680 COMPLMT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 250mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存5,382

2N5683

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,374

2N5684

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 50A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AE
供應商設備包裝: TO-3

庫存4,536

2N5684

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,086

2N5684G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 50A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V
功率-最大: 300W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AE
供應商設備包裝: TO-3

庫存4,860

2N5685

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,582

2N5686

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,192

2N5686G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 50A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V
功率-最大: 300W
頻率-過渡: 2MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AE
供應商設備包裝: TO-3

庫存7,908

2N5769

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 400µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 350mV
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,142

2N5769

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN SWITCHING 15V

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,086

2N5771

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,356

2N5771_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.2A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,762

2N5771_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.2A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,464

2N5771_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.2A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,082

2N5771_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.2A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 300mV
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,708

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