晶體管

型號	描述	庫存
2N5415 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 200V 1A TO-39 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 15MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,046
2N5415 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-39 供應商設備包裝: TO-39	庫存1,646
2N5415 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,006
2N5415S Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,532
2N5415UA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,354
2N5416 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 300V 1A TO-39 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 15MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存7,290
2N5416 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTORS 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,316
2N5416 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 10V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 15MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存4,860
2N5416UA Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,510
2N5416UA/TR Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 POWER BJT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UA	庫存2,088
2N5427 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 7A TO-66 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 7A, 80V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2 供應商設備包裝: TO-66	庫存8,694
2N5428 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,284
2N5429 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,770
2N5430 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 SILICON NPN TRANSISTORS 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 40W 頻率-過渡: 30MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2 供應商設備包裝: TO-66	庫存4,878
2N5430 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,844
2N5434 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,402
2N5550 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,416
2N5550-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN BIPOLAR TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存8,604
2N5550BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,724
2N5550_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,986
2N5550G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,598
2N5550_J24Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,352
2N5550RLRA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,780
2N5550RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,676
2N5550RLRP ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,696
2N5550RLRPG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,780
2N5550TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存128,394
2N5550TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存116,868
2N5550TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,734
2N5550TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,340

2N5415

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 1A TO-39

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 15MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,046

2N5415

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-39
供應商設備包裝: TO-39

庫存1,646

2N5415

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,006

2N5415S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,532

2N5415UA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,354

2N5416

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 1A TO-39

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 15MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存7,290

2N5416

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTORS

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,316

2N5416

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 10V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 15MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存4,860

2N5416UA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,510

2N5416UA/TR

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER BJT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UA

庫存2,088

2N5427

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 7A TO-66

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 7A, 80V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝: TO-66

庫存8,694

2N5428

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,284

2N5429

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,770

2N5430

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

SILICON NPN TRANSISTORS

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 40W
頻率-過渡: 30MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝: TO-66

庫存4,878

2N5430

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,844

2N5434

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS SMALL SIGNAL

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,402

2N5550

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,416

2N5550-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN BIPOLAR TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存8,604

2N5550BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,724

2N5550_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,986

2N5550G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,598

2N5550_J24Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,352

2N5550RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,780

2N5550RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,676

2N5550RLRP

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,696

2N5550RLRPG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,780

2N5550TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存128,394

2N5550TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存116,868

2N5550TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,734

2N5550TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,340

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