晶體管

STF24N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II Plus
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF24N60M6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

NCHANNEL 600 V 105 MOHM TYP. 22

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF24N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF24NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF24NM65N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF25N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF25N60M2-EP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2-EP
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1090pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF25N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF25NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2565pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF25NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF25NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: FDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF260N4F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ F7
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5640pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF26N60DM6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ DM6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF26N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF26NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF26NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: FDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54.6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1817pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF26NM60N-H

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF27N60M2-EP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2-EP
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF28N60DM2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 21A

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ DM2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF28N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II Plus
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF28N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF28NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1735pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF28NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: FDmesh™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2090pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF2HNK60Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF2LN60K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF2N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 2.2A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF2N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V
• Vgs（最大）: 30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF2N95K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs（最大）: 30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 105pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF2NK60Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF30N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: 20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1270pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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