晶體管

型號	描述	庫存
STU75N3LLH6-S STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 75A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1690pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,146
STU7LN80K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK (TO-251) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,966
STU7N105K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH5™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1050V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK (TO-251) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存21,972
STU7N60M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II Plus FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 271pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存7,866
STU7N65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK (TO-251) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存21,096
STU7N80K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 800V 6A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH5™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存20,094
STU7NF25 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 72W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存29,184
STU7NM60N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存45,918
STU80N4F6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 40V 80A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存18,336
STU85N3LH5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V Vgs（最大）: ±22V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,894
STU8N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,808
STU8N80K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 800V 6A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH5™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,516
STU8NM50N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存23,826
STU8NM60ND STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: FDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,402
STU90N4F3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存6,282
STU95N2LH5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1817pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,994
STU95N3LLH6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,554
STU95N4F3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,626
STU9HN65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存20,802
STU9N60M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II Plus FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK (TO-251) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存25,206
STU9N65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: IPAK (TO-251) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存17,028
STULED524 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 525V 4A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,176
STULED623 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 620V 3A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,436
STULED625 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 620V 5A IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,598
STULED656 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V IPAK 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 895pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,464
STV160NF02LAT4 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 10-PowerSO 包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	庫存4,914
STV160NF02LT4 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 10-PowerSO 包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	庫存2,106
STV160NF03LAT4 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 10-PowerSO 包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	庫存6,300
STV160NF03LT4 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 10-PowerSO 包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	庫存6,570
STV200N55F3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 10-PowerSO 包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	庫存22,860

STU75N3LLH6-S

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1690pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,146

STU7LN80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK (TO-251)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,966

STU7N105K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH5™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1050V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK (TO-251)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存21,972

STU7N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 271pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存7,866

STU7N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK (TO-251)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存21,096

STU7N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 800V 6A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH5™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存20,094

STU7NF25

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 72W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存29,184

STU7NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 363pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存45,918

STU80N4F6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 40V 80A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存18,336

STU85N3LH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs（最大）: ±22V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,894

STU8N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,808

STU8N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 800V 6A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH5™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,516

STU8NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存23,826

STU8NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: FDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,402

STU90N4F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存6,282

STU95N2LH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1817pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,994

STU95N3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,554

STU95N4F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,626

STU9HN65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存20,802

STU9N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK (TO-251)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存25,206

STU9N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: IPAK (TO-251)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存17,028

STULED524

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 4A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,176

STULED623

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 3A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,436

STULED625

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 5A IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,598

STULED656

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V IPAK

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 895pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,464

STV160NF02LAT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 10-PowerSO
包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

庫存4,914

STV160NF02LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 10-PowerSO
包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

庫存2,106

STV160NF03LAT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 10-PowerSO
包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

庫存6,300

STV160NF03LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 10-PowerSO
包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

庫存6,570

STV200N55F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 10-PowerSO
包裝/箱: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

庫存22,860

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message