晶體管

型號	描述	庫存
TSM160P04LCRHRLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2712pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存64,512
TSM170N06CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,096
TSM170N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存241,038
TSM170N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 73.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,942
TSM180N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存23,190
TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 21W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存3,852
TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存18,852
TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8600pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存15,312
TSM1N45CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存7,686
TSM1N45CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存8,334
TSM1N45CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,580
TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 250mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±50V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 185pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,156
TSM1N80CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.6Ohm @ 150mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存26,262
TSM1NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存17,772
TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存79,896
TSM1NB60CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存21,264
TSM1NB60SCT A3 Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO92 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存8,316
TSM1NB60SCT A3G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	庫存3,526
TSM1NB60SCT B0 Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存3,024
TSM1NB60SCT B0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-92 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	庫存7,866
TSM210N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.56W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存113,106
TSM210N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7900pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,712
TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1454pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,190
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,392
TSM22P10CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存7,650
TSM22P10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,322
TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存258,048
TSM2301BCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 415pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,996
TSM2301CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,866
TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 587pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存189,330

TSM160P04LCRHRLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2712pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存64,512

TSM170N06CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,096

TSM170N06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存241,038

TSM170N06PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 73.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,942

TSM180N03CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存23,190

TSM180N03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 21W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存3,852

TSM180P03CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存18,852

TSM190N08CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8600pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存15,312

TSM1N45CT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存7,686

TSM1N45CT B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存8,334

TSM1N45CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,580

TSM1N45DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 250mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±50V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 185pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,156

TSM1N80CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.6Ohm @ 150mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存26,262

TSM1NB60CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存17,772

TSM1NB60CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存79,896

TSM1NB60CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存21,264

TSM1NB60SCT A3

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO92

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存8,316

TSM1NB60SCT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

庫存3,526

TSM1NB60SCT B0

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存3,024

TSM1NB60SCT B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 138pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-92
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

庫存7,866

TSM210N02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.56W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存113,106

TSM210N06CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7900pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,712

TSM220NB06CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1454pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,190

TSM220NB06LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,392

TSM22P10CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存7,650

TSM22P10CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,322

TSM2301ACX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存258,048

TSM2301BCX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 415pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,996

TSM2301CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,866

TSM2302CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 587pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存189,330

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