晶體管

型號	描述	庫存
TSM8N50CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1595pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,124
TSM8N50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1595pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,712
TSM8N70CI C0 Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2006pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存2,880
TSM8N70CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2006pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存2,628
TSM8N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 8A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1921pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存17,640
TSM8N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1921pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存23,628
TSM900N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存121,272
TSM900N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,380
TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存37,116
TSM900N10CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存28,092
TSM900N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存49,818
TSM9409CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 60V 3.5A 8SOP 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存20,172
TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 551.57pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存19,284
TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 9W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存38,694
TSM9N90ECI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 900V 9A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存18,288
TSM9N90ECZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存23,592
TSM9ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1116pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存31,698
TT8U1TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSST 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存2,574
TT8U2TCR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSST 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存3,526
TT8U2TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSST 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead	庫存4,068
T-TD1R4N60P 11 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 制造商: IXYS 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,326
UPA1727G-E1-A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,328
UPA1760G-E1-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,166
UPA1763G(0)-E1-AY Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,670
UPA1763G(0)-E2-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,290
UPA1763G-E1-A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,192
UPA1763G-E2-A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,952
UPA1770G-E1-A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,284
UPA1902TE-T1-A Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,852
UPA1912TE(0)-T1-AT Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH SC-95 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 4V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-95 包裝/箱: SC-95	庫存6,912

TSM8N50CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1595pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,124

TSM8N50CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1595pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,712

TSM8N70CI C0

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2006pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存2,880

TSM8N70CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2006pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存2,628

TSM8N80CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1921pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存17,640

TSM8N80CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1921pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存23,628

TSM900N06CH X0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存121,272

TSM900N06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,380

TSM900N06CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存37,116

TSM900N10CH X0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存28,092

TSM900N10CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存49,818

TSM9409CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 3.5A 8SOP

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存20,172

TSM9435CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 551.57pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存19,284

TSM950N10CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 9W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存38,694

TSM9N90ECI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 900V 9A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存18,288

TSM9N90ECZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存23,592

TSM9ND50CI

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1116pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存31,698

TT8U1TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSST
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存2,574

TT8U2TCR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSST
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存3,526

TT8U2TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSST
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead

庫存4,068

T-TD1R4N60P 11

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,326

UPA1727G-E1-A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,328

UPA1760G-E1-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,166

UPA1763G(0)-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,670

UPA1763G(0)-E2-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,290

UPA1763G-E1-A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,192

UPA1763G-E2-A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,952

UPA1770G-E1-A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,284

UPA1902TE-T1-A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,852

UPA1912TE(0)-T1-AT

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH SC-95

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 4V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-95
包裝/箱: SC-95

庫存6,912

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