晶體管

型號	描述	庫存
TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 981pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存25,032
TSM70N600ACL X0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 8A TO262S 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262S (I2PAK) 包裝/箱: TO-262-3 Short Leads, I²Pak	庫存17,808
TSM70N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存16,044
TSM70N600CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存19,692
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,600
TSM70N750CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存16,554
TSM70N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,330
TSM70N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,304
TSM70N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存18,576
TSM70N900CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,876
TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 317pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,704
TSM7N65ACI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 650V 7A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1406pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存2,304
TSM7N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 900V 7A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1969pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存18,612
TSM7N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 900V 7A TO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1969pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存19,200
TSM7NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A ITO220S 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1169pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 44.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220S 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,192
TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7A ITO220S 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1169pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 44.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220S 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存15,570
TSM7ND60CI Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 600V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1108pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存30,708
TSM7ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 650V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1124pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存31,578
TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 425pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 15.6W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存23,760
TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3905pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 113.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存17,568
TSM80N1R2CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存26,658
TSM80N1R2CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存23,424
TSM80N1R2CL C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262S (I2PAK) 包裝/箱: TO-262-3 Short Leads, I²Pak	庫存3,888
TSM80N1R2CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存38,514
TSM80N400CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1848pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220S 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存20,724
TSM80N950CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 691pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 (IPAK) 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存32,622
TSM80N950CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 691pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ITO-220AB 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存20,808
TSM80N950CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 691pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存20,766
TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存159,600
TSM85N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 81A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 210W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,648

TSM70N380CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 981pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存25,032

TSM70N600ACL X0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 8A TO262S

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262S (I2PAK)
包裝/箱: TO-262-3 Short Leads, I²Pak

庫存17,808

TSM70N600CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存16,044

TSM70N600CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存19,692

TSM70N600CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 743pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,600

TSM70N750CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存16,554

TSM70N750CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,330

TSM70N900CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,304

TSM70N900CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存18,576

TSM70N900CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 482pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,876

TSM70NB1R4CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 317pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,704

TSM7N65ACI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 650V 7A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.45Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1406pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存2,304

TSM7N90CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 900V 7A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1969pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存18,612

TSM7N90CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 900V 7A TO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1969pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存19,200

TSM7NC60CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A ITO220S

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1169pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220S
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,192

TSM7NC65CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7A ITO220S

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1169pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220S
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存15,570

TSM7ND60CI

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

600V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1108pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存30,708

TSM7ND65CI

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

650V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1124pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存31,578

TSM7P06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 425pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 15.6W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存23,760

TSM80N08CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3905pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 113.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存17,568

TSM80N1R2CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存26,658

TSM80N1R2CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存23,424

TSM80N1R2CL C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262S (I2PAK)
包裝/箱: TO-262-3 Short Leads, I²Pak

庫存3,888

TSM80N1R2CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存38,514

TSM80N400CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1848pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220S
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存20,724

TSM80N950CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 691pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251 (IPAK)
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存32,622

TSM80N950CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 691pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ITO-220AB
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存20,808

TSM80N950CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 691pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存20,766

TSM850N06CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存159,600

TSM85N10CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 81A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 210W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,648

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