晶體管

型號	描述	庫存
APT85GR120JD60 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 116A 功率-最大: 543W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 85A 當前-集電極截止（最大值）: 1.1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存6,750
APTCV40H60CT1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,868
APTCV50H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,256
APTCV60HM45BC20T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存29
APTCV60HM45BT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,760
APTCV60HM45RCT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Single Phase Bridge Rectifier NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,920
APTCV60HM45RT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Single Phase Bridge Rectifier NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,832
APTCV60HM70BT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,156
APTCV60HM70RT3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Single Phase Bridge Rectifier NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,858
APTCV60TLM24T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - COOLMOS 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3	庫存6,966
APTCV60TLM45T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT3 SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter - IGBT, FET 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,970
APTCV60TLM70T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3	庫存6,156
APTCV60TLM99T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter - IGBT, FET 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 90W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,516
APTCV90TL12T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter - IGBT, FET 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 280W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,254
APTGF100A1202G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A 功率-最大: 568W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存5,310
APTGF100A120T3AG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 780W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,318
APTGF100A120T3WG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 657W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,610
APTGF100A120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A 功率-最大: 568W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,228
APTGF100DA120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 130A 735W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 735W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存4,212
APTGF100DA120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A 功率-最大: 568W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,418
APTGF100DU120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A 功率-最大: 568W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,698
APTGF100SK120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 135A 568W SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A 功率-最大: 568W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,114
APTGF150A120T3AG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 210A 功率-最大: 1041W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,642
APTGF150A120T3WG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 210A 功率-最大: 961W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,046
APTGF150A120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 961W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,634
APTGF150A60T3AG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT NPT 600V 230A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 230A 功率-最大: 833W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,904
APTGF150DA120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 961W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,940
APTGF150DH120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 961W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,104
APTGF150DU120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Dual, Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 961W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,526
APTGF150H120G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 961W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,878

APT85GR120JD60

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 116A
功率-最大: 543W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 85A
當前-集電極截止（最大值）: 1.1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 8.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存6,750

APTCV40H60CT1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 176W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,868

APTCV50H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 176W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,256

APTCV60HM45BC20T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存29

APTCV60HM45BT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,760

APTCV60HM45RCT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Single Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,920

APTCV60HM45RT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Single Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,832

APTCV60HM70BT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,156

APTCV60HM70RT3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Single Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,858

APTCV60TLM24T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - COOLMOS

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3

庫存6,966

APTCV60TLM45T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT3 SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter - IGBT, FET
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,970

APTCV60TLM70T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 176W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.15nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3

庫存6,156

APTCV60TLM99T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter - IGBT, FET
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 90W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,516

APTCV90TL12T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter - IGBT, FET
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 280W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.77nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,254

APTGF100A1202G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
功率-最大: 568W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存5,310

APTGF100A120T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 780W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,318

APTGF100A120T3WG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 657W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,610

APTGF100A120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
功率-最大: 568W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,228

APTGF100DA120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 130A 735W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 735W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存4,212

APTGF100DA120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
功率-最大: 568W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,418

APTGF100DU120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
功率-最大: 568W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,698

APTGF100SK120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 135A 568W SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
功率-最大: 568W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,114

APTGF150A120T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 210A
功率-最大: 1041W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,642

APTGF150A120T3WG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 210A
功率-最大: 961W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9.3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,046

APTGF150A120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 961W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,634

APTGF150A60T3AG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT NPT 600V 230A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 230A
功率-最大: 833W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 200A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,904

APTGF150DA120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 961W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,940

APTGF150DH120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 961W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,104

APTGF150DU120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 961W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,526

APTGF150H120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 961W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 10.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,878

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