晶體管

型號	描述	庫存
APT46GA90JD40 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 900V 87A 284W SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 87A 功率-最大: 284W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 47A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.17nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存4,986
APT50GF120JRDQ3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 120A 521W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大: 521W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 750µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.32nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存4,176
APT50GF60JCU2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A 功率-最大: 277W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存7,650
APT50GF60JU2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 75A 277W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 277W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 40µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.25nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存6,966
APT50GF60JU3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 75A 277W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 277W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 40µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.25nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,022
APT50GLQ65JU2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大: 220W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存3,744
APT50GP60J Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 100A 329W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 329W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.7nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存7,218
APT50GP60JDQ2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 100A 329W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 329W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 525µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.7nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存5,670
APT50GR120JD30 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 84A 417W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A 功率-最大: 417W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 1.1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.55nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4 供應商設備包裝: SOT-227	庫存7,218
APT50GT120JRDQ2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 72A 379W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: Thunderbolt IGBT® IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 72A 功率-最大: 379W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 400µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 2.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存5,400
APT50GT120JU2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 75A 347W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 347W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存4,320
APT50GT120JU3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 75A 347W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大: 347W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,184
APT60GA60JD60 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 112A 356W SOT-227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 112A 功率-最大: 356W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 62A 當前-集電極截止（最大值）: 275µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.01nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存5,166
APT60GF120JRDQ3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 149A 功率-最大: 625W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.08nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存7,470
APT60GF60JU2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 93A 378W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A 功率-最大: 378W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A 當前-集電極截止（最大值）: 80µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.59nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,832
APT60GF60JU3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 93A 378W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A 功率-最大: 378W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A 當前-集電極截止（最大值）: 80µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3.59nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存4,194
APT60GT60JR Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 93A 378W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: Thunderbolt IGBT® IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A 功率-最大: 378W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A 當前-集電極截止（最大值）: 80µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存3,454
APT65GP60J Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 130A 431W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A 功率-最大: 431W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 65A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存8,964
APT70GR120J Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 112A 543W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 112A 功率-最大: 543W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 70A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.26nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4 供應商設備包裝: SOT-227	庫存7,434
APT70GR120JD60 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 112A 543W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 112A 功率-最大: 543W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 70A 當前-集電極截止（最大值）: 1.1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.26nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4 供應商設備包裝: SOT-227	庫存6,930
APT75GN120J Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 124A 功率-最大: 379W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存2,862
APT75GN120JDQ3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 124A 功率-最大: 379W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存6,642
APT75GN120JDQ3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 124A 功率-最大: 379W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存4,482
APT75GP120J Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 128A 543W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 128A 功率-最大: 543W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.04nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存6,642
APT75GP120JDQ3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 128A 543W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 128A 功率-最大: 543W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 1.25mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.04nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存9,780
APT75GT120JRDQ3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 97A 480W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: Thunderbolt IGBT® IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 97A 功率-最大: 480W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存7,182
APT75GT120JU2 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 100A 416W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,238
APT75GT120JU3 Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 416W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: SOT-227	庫存2,538
APT80GP60J Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 151A 462W SOT227 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® IGBT類型: PT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 151A 功率-最大: 462W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 80A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9.84nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: ISOTOP 供應商設備包裝: ISOTOP®	庫存8,208
APT85GR120J Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 116A 功率-最大: 543W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 85A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.4nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝: SOT-227	庫存5,850

APT46GA90JD40

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 900V 87A 284W SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 87A
功率-最大: 284W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 47A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.17nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存4,986

APT50GF120JRDQ3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 120A 521W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
功率-最大: 521W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 750µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.32nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存4,176

APT50GF60JCU2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
功率-最大: 277W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.2nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存7,650

APT50GF60JU2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 75A 277W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 277W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 40µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.25nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存6,966

APT50GF60JU3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 75A 277W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 277W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 40µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.25nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,022

APT50GLQ65JU2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
功率-最大: 220W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存3,744

APT50GP60J

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 100A 329W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 329W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.7nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存7,218

APT50GP60JDQ2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 100A 329W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 329W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 525µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.7nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存5,670

APT50GR120JD30

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 84A 417W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 84A
功率-最大: 417W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 1.1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.55nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4
供應商設備包裝: SOT-227

庫存7,218

APT50GT120JRDQ2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 72A 379W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: Thunderbolt IGBT®
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 72A
功率-最大: 379W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 400µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 2.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存5,400

APT50GT120JU2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 347W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 347W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存4,320

APT50GT120JU3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 75A 347W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
功率-最大: 347W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,184

APT60GA60JD60

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 112A 356W SOT-227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 112A
功率-最大: 356W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 62A
當前-集電極截止（最大值）: 275µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 8.01nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存5,166

APT60GF120JRDQ3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 149A 625W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 149A
功率-最大: 625W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 350µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.08nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存7,470

APT60GF60JU2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 93A 378W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A
功率-最大: 378W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A
當前-集電極截止（最大值）: 80µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.59nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,832

APT60GF60JU3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 93A 378W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A
功率-最大: 378W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A
當前-集電極截止（最大值）: 80µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3.59nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存4,194

APT60GT60JR

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 93A 378W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: Thunderbolt IGBT®
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A
功率-最大: 378W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A
當前-集電極截止（最大值）: 80µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存3,454

APT65GP60J

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 130A 431W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
功率-最大: 431W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 65A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存8,964

APT70GR120J

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 112A 543W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 112A
功率-最大: 543W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 70A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.26nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4
供應商設備包裝: SOT-227

庫存7,434

APT70GR120JD60

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 112A 543W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 112A
功率-最大: 543W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 70A
當前-集電極截止（最大值）: 1.1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.26nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4
供應商設備包裝: SOT-227

庫存6,930

APT75GN120J

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 124A
功率-最大: 379W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存2,862

APT75GN120JDQ3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 124A
功率-最大: 379W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存6,642

APT75GN120JDQ3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 124A
功率-最大: 379W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存4,482

APT75GP120J

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 128A 543W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 128A
功率-最大: 543W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.04nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存6,642

APT75GP120JDQ3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 128A 543W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 128A
功率-最大: 543W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 1.25mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 7.04nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存9,780

APT75GT120JRDQ3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 97A 480W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: Thunderbolt IGBT®
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 97A
功率-最大: 480W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存7,182

APT75GT120JU2

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 100A 416W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,238

APT75GT120JU3

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 416W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: SOT-227

庫存2,538

APT80GP60J

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 151A 462W SOT227

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
IGBT類型: PT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 151A
功率-最大: 462W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 80A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9.84nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: ISOTOP
供應商設備包裝: ISOTOP®

庫存8,208

APT85GR120J

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 116A
功率-最大: 543W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 85A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 8.4nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝: SOT-227

庫存5,850

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