晶體管

IMX1T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX1T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX25T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 820 @ 4ma, 2V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 35MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX2T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX3T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX4T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 0.05A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 1.5GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX5T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 11V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 3.2GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX8-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-26

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IMX8-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-26

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IMX8T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 120V 0.05A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX9T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 560 @ 10mA, 3V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMZ1AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 180MHz, 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMZ2AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 180MHz, 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMZ4T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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JAN2N2060L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/270
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 2.12W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N2919L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/355
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N2919U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.03A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/355
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: 3-SMD

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JAN2N2920L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/355
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N2920U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.03A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/355
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: 3-SMD

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JAN2N3810

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N3810L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N3810U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N3811

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N3811L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N3811U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JAN2N6987

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/558
• 晶體管類型: 4 PNP (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: -

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JAN2N6988

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP 60V 0.6A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/558
• 晶體管類型: 4 PNP (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-Flatpack
• 供應商設備包裝: 14-Flatpack

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JAN2N6989

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/559
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: TO-116

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JAN2N6990

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/559
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-Flatpack
• 供應商設備包裝: 14-Flatpack

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JANS2N2920

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/355
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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