晶體管

型號	描述	庫存
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V 功率-最大: 900mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-92MOD	庫存5,526
2SC2655-Y,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V 功率-最大: 900mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-92MOD	庫存7,632
2SC2668-O-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR TO-92 MOD 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 550MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,322
2SC2668-R-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR TO-92 MOD 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 550MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,834
2SC2668-Y-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR TO-92 MOD 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 6V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 550MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,430
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: LSTM	庫存2,520
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: LSTM	庫存7,920
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 0.05A TO-92 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: LSTM	庫存8,010
2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 80MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存2,538
2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 80MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存281,592
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 80MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236	庫存6,174
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 80MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存84,600
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 2mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236	庫存7,524
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236	庫存74,946
2SC2812N6-CPA-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存4,176
2SC2812N6-TB-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 1mA, 6V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存5,652
2SC2837 Sanken	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 150V 10A TO-3P 制造商: Sanken 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3V, 4V 功率-最大: 100W 頻率-過渡: 70MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存19,536
2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存7,992
2SC2859-GR-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR TO-92 MOD 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存2,502
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存6,030
2SC2859-O-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR TO-92 MOD 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存7,632
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存5,598
2SC2881-O-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PREBIAS NPN 120V SOT89 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 120MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存4,356
2SC2883-O-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR TO-92 MOD 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 30mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 120MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存5,076
2SC2921 Sanken	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 15A MT200 制造商: Sanken 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5A, 4V 功率-最大: 150W 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 3-ESIP 供應商設備包裝: MT-200	庫存6,672
2SC2922 Sanken	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 180V 17A MT-200 制造商: Sanken 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 17A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 800mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8V, 4V 功率-最大: 200W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 3-ESIP 供應商設備包裝: MT-200	庫存8,082
2SC29250SA Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.7A TO-92 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 600 @ 150mA, 10V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-B1	庫存8,244
2SC2983-O-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR TO-92 MOD 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存8,496
2SC2983-Y-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 1.5A DPAK 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝: D-Pak	庫存6,804
2SC2988 Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 16V 0.5A TO-126 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 200mA, 13.5V 功率-最大: 5W 頻率-過渡: 1GHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126B-A1	庫存6,642

2SC2655-Y(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 50V TO226-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
功率-最大: 900mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-92MOD

庫存5,526

2SC2655-Y,WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 50V TO226-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
功率-最大: 900mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-92MOD

庫存7,632

2SC2668-O-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 550MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,322

2SC2668-R-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 550MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,834

2SC2668-Y-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 6V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 550MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,430

2SC2705-O(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: LSTM

庫存2,520

2SC2705-O(TPE6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: LSTM

庫存7,920

2SC2705-Y(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: LSTM

庫存8,010

2SC2712-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 80MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存2,538

2SC2712-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 80MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存281,592

2SC2712-OTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 80MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236

庫存6,174

2SC2712-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 80MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存84,600

2SC2713-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 2mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236

庫存7,524

2SC2713-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236

庫存74,946

2SC2812N6-CPA-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存4,176

2SC2812N6-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 1mA, 6V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存5,652

2SC2837

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 10A TO-3P

制造商: Sanken
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3V, 4V
功率-最大: 100W
頻率-過渡: 70MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存19,536

2SC2859-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存7,992

2SC2859-GR-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存2,502

2SC2859-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存6,030

2SC2859-O-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存7,632

2SC2859-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存5,598

2SC2881-O-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PREBIAS NPN 120V SOT89

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 120MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存4,356

2SC2883-O-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 120MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存5,076

2SC2921

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 15A MT200

制造商: Sanken
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5A, 4V
功率-最大: 150W
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 3-ESIP
供應商設備包裝: MT-200

庫存6,672

2SC2922

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 180V 17A MT-200

制造商: Sanken
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 17A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8V, 4V
功率-最大: 200W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 3-ESIP
供應商設備包裝: MT-200

庫存8,082

2SC29250SA

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.7A TO-92

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 600 @ 150mA, 10V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-B1

庫存8,244

2SC2983-O-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存8,496

2SC2983-Y-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.5A DPAK

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝: D-Pak

庫存6,804

2SC2988

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 16V 0.5A TO-126

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 200mA, 13.5V
功率-最大: 5W
頻率-過渡: 1GHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126B-A1

庫存6,642

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