晶體管

2SC50260RL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A MINI-PWR

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MiniP3-F1

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2SC5053T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SC5053T100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SC5060TV2M

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 90V 1A ATV

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: ATV

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2SC5071

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 12A TO-220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1.4A, 7A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 7A, 4V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC5099

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 6A TO3PF

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2A, 4V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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2SC5100

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 8A TO3PF

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC5101

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 10A TO3PF

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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2SC5103TLP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SC5103TLQ

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SC51210P

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.07A TO-126

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126B-A1

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2SC5130

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 5A TO220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 300mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1.5A, 4V
• 功率-最大: 30W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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2SC5161TLB

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 2A SOT-428 TR

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SC5171(LBS2MATQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 180V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5171,MATUDQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 180V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5171,ONKQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 180V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5171(ONK,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 180V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5171,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 180V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5172(YAZK,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 5A 400V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 250mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5200

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO-264

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 55 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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2SC5200N(S1,E,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P(N)

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2SC5200-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PL
• 供應商設備包裝: TO-3P(L)

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2SC5200OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 17A TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 17A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264-3

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2SC5200RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 17A TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 17A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 55 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264-3

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2SC5201,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 600V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 20mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SC5201,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 600V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 20mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SC5201,T6MURAF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 600V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 20mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SC5201(T6MURATAFM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 600V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 20mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SC5201(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 600V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 20mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SC5231C8-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 0.07A 10V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SMCP

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