晶體管

2SC5232BTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.5A S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SC-59

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2SC5233BTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.5A USM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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2SC5242-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO-3PN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 130W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P(N)

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2SC5242OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 17A TO-3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 17A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 130W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC5242RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 17A TO-3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 17A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 55 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 130W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC5265LS-1HX

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR RF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SC5287

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 550V 5A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 550V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 360mA, 1.8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1.8A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC5291S-AY

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.5A FLP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 No Tab
• 供應商設備包裝: FLP

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2SC5343-G-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 6V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2SC5343-L-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 2A, 6V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2SC5343-O-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2A, 6V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2SC5343-Y-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2A, 6V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2SC536300L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 6V 0.03A SS-MINI 3P

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 3V
• 功率-最大: 125mW
• 頻率-過渡: 10GHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSmini3-G1

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2SC536NF-NPA-AT

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A NPA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-226AA

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2SC536NG-NPA-AT

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A NPA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-226AA

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2SC5414AE

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 0.1A 12V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: 3-NP

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2SC5414AE-AA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 0.1A 12V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: 3-NP

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2SC5414AF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 0.1A 12V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: 3-NP

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2SC5414AF-AA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 0.1A 12V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: 3-NP

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2SC54190RA

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.07A MT-2

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 5mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: MT-2-A1

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2SC5439(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 8A TO220NIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 640mA, 3.2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5459(TOJS,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 3A 400V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 150mA, 1.2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 300mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

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2SC5488-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 0.07A 10V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: 3-SSFP

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2SC5549,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 1A 400V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 25mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 40mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SC555600L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 10V 0.08A MINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 20mA, 8V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 6GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SC5566-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 4A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 225mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC5569-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 7A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.3W
• 頻率-過渡: 330MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89/PCP-1

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2SC5585TL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.5A SOT-416

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: EMT3

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2SC559200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 2.5A MINI 3P

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SC565400L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 1A SMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SMini3-G1

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