晶體管

JANTXV2N7370

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 12A TO254

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/624
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 6A, 3V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• 供應商設備包裝: TO-254AA

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JANTXV2N7371

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 12A TO254

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/623
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 6A, 3V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• 供應商設備包裝: TO-254AA

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JANTXV2N7373

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 5A TO254

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/613
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2.5A, 5V
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• 供應商設備包裝: TO-254AA

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JANTXV2N918UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.05A UB

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/301
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: 3-UB (3.09x2.45)

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JANTXV2N930

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.03A TO18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/253
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10µA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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KA4A4M(0)-T1-AT

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN USM SC-75

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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KA4F3R(0)-T1-A

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN USM SC-75

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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KA4L4M(0)-T1-A

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN USM SC-75

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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KN4A4M(0)-T1-A

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN USM SC-75

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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KS3302BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KS3302TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1010OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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KSA1010RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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KSA1010Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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KSA1010YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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KSA1013OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 1A TO-92L

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1013OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 1A TO-92L

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1013RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 1A TO-92L

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1013RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 1A TO-92L

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1013YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 1A TO-92L

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1013YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 1A TO-92L

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1015GRBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1015GRTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1015OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1015OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1015YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1015YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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KSA1142OSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 180V 0.1A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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KSA1142YSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 180V 0.1A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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KSA1150OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 0.5A TO-92S

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• 供應商設備包裝: TO-92S

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