晶體管

型號	描述	庫存
KSC838CYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.03A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,214
KSC838OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.03A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 12V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,410
KSC838OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.03A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 12V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,466
KSC838YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.03A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,860
KSC838YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.03A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,384
KSC839CYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,550
KSC839YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,640
KSC900CGTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500µA, 3V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,112
KSC900CYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500µA, 3V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,364
KSC900GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500µA, 3V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,820
KSC900LBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 500µA, 3V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,614
KSC900LTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 500µA, 3V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,506
KSC945CGBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存166,686
KSC945CGTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存21,648
KSC945CLTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,768
KSC945COTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,546
KSC945CYBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,820
KSC945CYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存93,522
KSC945GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,830
KSC945GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,130
KSC945LBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,068
KSC945LTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,362
KSC945OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,680
KSC945OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,754
KSC945YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,928
KSC945YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存31,386
KSD1020GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 170MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,266
KSD1020GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 170MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存7,596
KSD1020YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 170MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,210
KSD1020YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 170MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存8,262

KSC838CYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.03A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,214

KSC838OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.03A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 12V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,410

KSC838OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.03A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 12V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,466

KSC838YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.03A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,860

KSC838YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.03A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,384

KSC839CYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,550

KSC839YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,640

KSC900CGTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500µA, 3V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,112

KSC900CYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500µA, 3V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,364

KSC900GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500µA, 3V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,820

KSC900LBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 500µA, 3V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,614

KSC900LTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 500µA, 3V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,506

KSC945CGBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存166,686

KSC945CGTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存21,648

KSC945CLTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,768

KSC945COTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,546

KSC945CYBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,820

KSC945CYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存93,522

KSC945GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,830

KSC945GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,130

KSC945LBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,068

KSC945LTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,362

KSC945OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,680

KSC945OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,754

KSC945YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,928

KSC945YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存31,386

KSD1020GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 170MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,266

KSD1020GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 170MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存7,596

KSD1020YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 170MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,210

KSD1020YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 170MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存8,262

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