晶體管

型號	描述	庫存
KSD1589YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5000 @ 3A, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220F	庫存3,580
KSD1616AGBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存167,184
KSD1616AGTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存29,658
KSD1616ALBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,762
KSD1616ALTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存46,920
KSD1616A-Y-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,822
KSD1616AYBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,524
KSD1616AYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,652
KSD1616-G-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存5,868
KSD1616GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,636
KSD1616GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,502
KSD1616-L-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存4,896
KSD1616LBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,318
KSD1616LPWD ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,358
KSD1616-Y-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,102
KSD1616YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,434
KSD1616YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V 功率-最大: 750mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,426
KSD1621RTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存7,344
KSD1621STF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存4,770
KSD1621TTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存6,804
KSD1621UTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 100mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89-3	庫存6,876
KSD1691GS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存29,778
KSD1691GSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存28,626
KSD1691OS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存5,076
KSD1691OSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存4,320
KSD1691YS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存14,028
KSD1691YSTSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存6,012
KSD1691YSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2A, 1V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存23,730
KSD1692YS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 4000 @ 1.5A, 2V 功率-最大: 1.3W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存15,108
KSD1943TU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 500mA, 4V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,246

KSD1589YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5000 @ 3A, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220F

庫存3,580

KSD1616AGBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存167,184

KSD1616AGTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存29,658

KSD1616ALBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,762

KSD1616ALTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存46,920

KSD1616A-Y-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,822

KSD1616AYBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,524

KSD1616AYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,652

KSD1616-G-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存5,868

KSD1616GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,636

KSD1616GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,502

KSD1616-L-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存4,896

KSD1616LBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,318

KSD1616LPWD

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,358

KSD1616-Y-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,102

KSD1616YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,434

KSD1616YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 135 @ 100mA, 2V
功率-最大: 750mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,426

KSD1621RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 2A SOT-89

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存7,344

KSD1621STF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 2A SOT-89

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存4,770

KSD1621TTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 2A SOT-89

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存6,804

KSD1621UTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 2A SOT-89

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 280 @ 100mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89-3

庫存6,876

KSD1691GS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存29,778

KSD1691GSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存28,626

KSD1691OS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存5,076

KSD1691OSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存4,320

KSD1691YS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存14,028

KSD1691YSTSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存6,012

KSD1691YSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2A, 1V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存23,730

KSD1692YS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 4000 @ 1.5A, 2V
功率-最大: 1.3W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存15,108

KSD1943TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 500mA, 4V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,246

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