晶體管

型號	描述	庫存
KSD560R ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存8,352
KSD560RTSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,400
KSD560RTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,168
KSD560Y ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5000 @ 3A, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存2,178
KSD560YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5000 @ 3A, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,742
KSD568OTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 7A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 3A, 1V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,182
KSD568RTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 7A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 3A, 1V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存8,604
KSD568YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 7A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3A, 1V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,670
KSD569OTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 7A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 3A, 1V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,084
KSD569RTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 7A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 3A, 1V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存4,212
KSD569YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 7A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3A, 1V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存6,480
KSD73O ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1A, 10V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 20MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存5,076
KSD73Y ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 10V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 20MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存8,010
KSD73YTSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 10V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 20MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,454
KSD73YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 5A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 10V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 20MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,146
KSD794AYS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 150mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 500mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存2,934
KSD794AYSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 150mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 500mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存2,214
KSD794YSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 150mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 500mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 60MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存8,100
KSD880O ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存21,408
KSD880OPATU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存4,716
KSD880Y ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,542
KSD880YTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存7,440
KSD882OS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存6,642
KSD882RS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存7,704
KSD882YS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存25,758
KSD882YSTSSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存4,608
KSD882YSTSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存6,120
KSD882YSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 90MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存25,896
KSD985OSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 1.5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 4000 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存8,550
KSD986OS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 4000 @ 1A, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存6,174

KSD560R

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存8,352

KSD560RTSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,400

KSD560RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,168

KSD560Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5000 @ 3A, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存2,178

KSD560YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5000 @ 3A, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,742

KSD568OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 7A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 3A, 1V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,182

KSD568RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 7A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 3A, 1V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存8,604

KSD568YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 7A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3A, 1V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,670

KSD569OTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 7A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 3A, 1V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,084

KSD569RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 7A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 3A, 1V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存4,212

KSD569YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 7A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 3A, 1V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存6,480

KSD73O

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1A, 10V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 20MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存5,076

KSD73Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 10V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 20MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存8,010

KSD73YTSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 10V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 20MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,454

KSD73YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 5A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 10V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 20MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,146

KSD794AYS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 150mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 500mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存2,934

KSD794AYSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 150mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 500mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存2,214

KSD794YSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 150mA, 1.5A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 500mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 60MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存8,100

KSD880O

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存21,408

KSD880OPATU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存4,716

KSD880Y

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,542

KSD880YTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存7,440

KSD882OS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存6,642

KSD882RS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存7,704

KSD882YS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存25,758

KSD882YSTSSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存4,608

KSD882YSTSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存6,120

KSD882YSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 90MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存25,896

KSD985OSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 1.5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 4000 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存8,550

KSD986OS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 4000 @ 1A, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存6,174

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