晶體管

MJE2955T

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE2955TG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE2955TTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 10A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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MJE3055-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-220

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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MJE3055T

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE3055T

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE3055TG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE3055TTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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MJE340

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 20.8W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: SOT-32-3

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MJE340G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 20W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE340STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 20W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE3439G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 15W
• 頻率-過渡: 15MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE344G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 0.5A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 20W
• 頻率-過渡: 15MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE350

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 20.8W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: SOT-32-3

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MJE350G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 20W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE350STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 20W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE371

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE371G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE4343

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 16A TO218

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 1MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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MJE4343G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 1MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJE4353

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 16A TO218

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 1MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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MJE4353G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 16A TO218

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 750µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 8A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 1MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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MJE520

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-126

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MJE521

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE521

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 4A SOT-32

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: SOT-32-3

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MJE521G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE5730

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 1A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5730G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 1A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5731

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 350V 1A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5731A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 375V 1A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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