晶體管

型號	描述	庫存
BCR185WE6327BTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存2,286
BCR185WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存4,824
BCR 189F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存2,754
BCR 189L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存3,654
BCR 189T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存5,076
BCR191E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存7,650
BCR 191F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存3,474
BCR 191L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存5,382
BCR 191T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存3,618
BCR191WE6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存5,148
BCR191WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存2,484
BCR 192 B6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,166
BCR192E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,682
BCR192E6785HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存8,460
BCR 192F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存6,192
BCR 192L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存6,156
BCR 192T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存4,500
BCR192WE6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存4,932
BCR192WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存4,932
BCR196E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,086
BCR 196F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存5,040
BCR 196L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存2,322
BCR 196T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存8,280
BCR196WE6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存2,916
BCR196WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存3,798
BCR198B6327HTLA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 190MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,382
BCR198E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 190MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存155,052
BCR198E6393HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 190MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存6,930
BCR198E6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 190MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,448
BCR 198F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 190MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存3,708

BCR185WE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存2,286

BCR185WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存4,824

BCR 189F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存2,754

BCR 189L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存3,654

BCR 189T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存5,076

BCR191E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存7,650

BCR 191F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存3,474

BCR 191L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存5,382

BCR 191T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存3,618

BCR191WE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存5,148

BCR191WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存2,484

BCR 192 B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,166

BCR192E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,682

BCR192E6785HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存8,460

BCR 192F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存6,192

BCR 192L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存6,156

BCR 192T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存4,500

BCR192WE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存4,932

BCR192WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存4,932

BCR196E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,086

BCR 196F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存5,040

BCR 196L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存2,322

BCR 196T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存8,280

BCR196WE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存2,916

BCR196WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存3,798

BCR198B6327HTLA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 190MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,382

BCR198E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 190MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存155,052

BCR198E6393HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 190MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存6,930

BCR198E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 190MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,448

BCR 198F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 190MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存3,708

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