晶體管

BCR 198L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 190MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

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BCR 198T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 190MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: PG-SC-75

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BCR198WE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 190MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BCR198WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 190MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BCR 199F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: PG-TSFP-3

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BCR 199L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

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BCR 199T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: PG-SC-75

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BCR 503 B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR503E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR503E6393HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP SOT23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR505E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR505E6778HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 512 B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR512E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 519 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR521E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR523E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR523E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR533E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR553E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR555E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR555E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR562E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 569 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR573E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR573E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR583E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 330mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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DDTA113TCA-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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DDTA113TCA-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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DDTA113TE-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-523
• 供應商設備包裝: SOT-523

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