晶體管

型號	描述	庫存
DTC114YUBHZGTL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-85 供應商設備包裝: UMT3F	庫存23,778
DTC114YUBTL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-85 供應商設備包裝: UMT3F	庫存8,064
DTC115ECAHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 350mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存178,806
DTC115ECAT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存6,804
DTC115EET1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存5,976
DTC115EET1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存152,796
DTC115EETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存4,068
DTC115EKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存52,560
DTC115EM3T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 260mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SOT-723	庫存6,876
DTC115EMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存2,826
DTC115EU3HZGT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存23,076
DTC115EU3T106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存2,556
DTC115EUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存2,700
DTC115GKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存3,744
DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTC115GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存27,024
DTC115GUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存4,788
DTC115TET1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存5,364
DTC115TETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存160,668
DTC115TKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存7,830
DTC115TM3T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 260mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SOT-723	庫存5,112
DTC115TMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存2,700
DTC115TUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存4,374
DTC123ECAHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 350mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存81,330
DTC123ECAT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存7,110
DTC123EET1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存3,402
DTC123EET1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存4,068
DTC123EETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存8,136
DTC123EKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存56,196
DTC123EM3T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 260mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SOT-723	庫存4,788
DTC123EMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存3,492

DTC114YUBHZGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-85
供應商設備包裝: UMT3F

庫存23,778

DTC114YUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-85
供應商設備包裝: UMT3F

庫存8,064

DTC115ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 350mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存178,806

DTC115ECAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存6,804

DTC115EET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存5,976

DTC115EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存152,796

DTC115EETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存4,068

DTC115EKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存52,560

DTC115EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 260mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SOT-723

庫存6,876

DTC115EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存2,826

DTC115EU3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存23,076

DTC115EU3T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存2,556

DTC115EUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存2,700

DTC115GKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存3,744

DTC115GU3T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTC115GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存27,024

DTC115GUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存4,788

DTC115TET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存5,364

DTC115TETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存160,668

DTC115TKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存7,830

DTC115TM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 260mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SOT-723

庫存5,112

DTC115TMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存2,700

DTC115TUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存4,374

DTC123ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 350mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存81,330

DTC123ECAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存7,110

DTC123EET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存3,402

DTC123EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存4,068

DTC123EETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存8,136

DTC123EKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存56,196

DTC123EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 260mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SOT-723

庫存4,788

DTC123EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存3,492

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