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晶體管

記錄 64,903
頁面 656/2164
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型號
描述
庫存
數量
DTC114TE-TP
DTC114TE-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-523
  • 供應商設備包裝: SOT-523
庫存153,624
DTC114TKAT146
DTC114TKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存26,304
DTC114TKA-TP
DTC114TKA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3L
庫存8,892
DTC114TM3T5G
DTC114TM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存2,790
DTC114TMT2L
DTC114TMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存8,208
DTC114TSATP
DTC114TSATP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
  • 供應商設備包裝: SPT
庫存4,374
DTC114TUAT106
DTC114TUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存365,730
DTC114TUA-TP
DTC114TUA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存3,672
DTC114TUBTL
DTC114TUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存4,590
DTC114WETL
DTC114WETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: EMT3
庫存3,708
DTC114WKAT146
DTC114WKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存28,968
DTC114WSATP
DTC114WSATP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
  • 供應商設備包裝: SPT
庫存2,898
DTC114WUAT106
DTC114WUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存21,780
DTC114YCAHZGT116
DTC114YCAHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 350mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存6,318
DTC114YCAT116
DTC114YCAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存48,606
DTC114YCA-TP
DTC114YCA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23
庫存4,536
DTC114YEBTL
DTC114YEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)
庫存7,938
DTC114YET1
DTC114YET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存8,316
DTC114YET1G
DTC114YET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存606,150
DTC114YETL
DTC114YETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: EMT3
庫存130,728
DTC114YE-TP
DTC114YE-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-523
  • 供應商設備包裝: SOT-523
庫存2,394
DTC114YKAT146
DTC114YKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存657,918
DTC114YKA-TP
DTC114YKA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3L
庫存3,060
DTC114YM3T5G
DTC114YM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存2,340
DTC114YMFHAT2L
DTC114YMFHAT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存8,910
DTC114YMT2L
DTC114YMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存68,778
DTC114YU3HZGT106
DTC114YU3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTC114YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存7,506
DTC114YU3T106
DTC114YU3T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存6,156
DTC114YUAT106
DTC114YUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存8,946
DTC114YUA-TP
DTC114YUA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存42,186