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晶體管

記錄 64,903
頁面 664/2164
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型號
描述
庫存
數量
DTC144VCAT116
DTC144VCAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTC144VCA IS AN DIGITAL TRANSIST

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存25,392
DTC144VKAT146
DTC144VKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存28,176
DTC144VUAT106
DTC144VUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存7,920
DTC144WCAT116
DTC144WCAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTC144WCA IS AN DIGITAL TRANSIST

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存23,460
DTC144WET1
DTC144WET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存2,268
DTC144WET1G
DTC144WET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75
庫存108,060
DTC144WETL
DTC144WETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: EMT3
庫存3,420
DTC144WKAT146
DTC144WKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存4,446
DTC144WM3T5G
DTC144WM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存5,526
DTC144WUAT106
DTC144WUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存2,448
DTC314TKT146
DTC314TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存8,316
DTC314TUT106
DTC314TUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存2,628
DTC323TKT146
DTC323TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存52,290
DTC323TUT106
DTC323TUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存3,472
DTC343TKT146
DTC343TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存25,704
DTC363EKT146
DTC363EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 6.8 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 6.8 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存3,454
DTC363EUT106
DTC363EUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 6.8 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 6.8 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存8,748
DTC363TKT146
DTC363TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 6.8 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存6,786
DTC614TKT146
DTC614TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存24,906
DTC614TUT106
DTC614TUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存8,964
DTC623TKT146
DTC623TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存59,994
DTC623TUT106
DTC623TUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存25,056
DTC643TKT146
DTC643TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存24,084
DTC643TUT106
DTC643TUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存3,384
DTC914TUBTL
DTC914TUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 400mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 35MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存8,172
DTC923TUBTL
DTC923TUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 400mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 35MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存7,452
DTC943TUBTL
DTC943TUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 400mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 35MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存3,436
DTD113ECHZGT116
DTD113ECHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存2,376
DTD113ECT116
DTD113ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存4,284
DTD113EKFRAT146
DTD113EKFRAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存25,440