晶體管

型號	描述	庫存
DTD513ZMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存8,712
DTD523YETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存8,316
DTD523YMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存3,598
DTD543EETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存2,538
DTD543EMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存2,808
DTD543XETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存3,996
DTD543XMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存7,938
DTD543ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存6,912
DTD543ZMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存3,924
DTD713ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存3,580
DTD713ZMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存7,092
DTD723YETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存7,236
DTD723YMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存6,390
DTD743EETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存5,130
DTD743EMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存3,906
DTD743XETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存5,184
DTD743XMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存4,302
DTD743ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存8,586
DTD743ZMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存2,934
DTDG14GPT100 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 80MHz 功率-最大: 2W 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: MPT3	庫存18,288
DTDG23YPT100 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 80MHz 功率-最大: 1.5W 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: MPT3	庫存8,046
EML17T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.12W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 120mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存3,762
EML20T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.15W 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存3,960
FA4F4M-T1B-A Renesas Electronics America	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PROGRAM ADAPTER 制造商: Renesas Electronics America 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,816
FJN3302RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,820
FJN3302RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存404,472
FJN3303RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,472
FJN3303RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,114
FJN3304RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,550
FJN3304RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,642

DTD513ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存8,712

DTD523YETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存8,316

DTD523YMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存3,598

DTD543EETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存2,538

DTD543EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存2,808

DTD543XETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存3,996

DTD543XMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存7,938

DTD543ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存6,912

DTD543ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存3,924

DTD713ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存3,580

DTD713ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存7,092

DTD723YETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存7,236

DTD723YMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存6,390

DTD743EETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存5,130

DTD743EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存3,906

DTD743XETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存5,184

DTD743XMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存4,302

DTD743ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存8,586

DTD743ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存2,934

DTDG14GPT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 80MHz
功率-最大: 2W
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: MPT3

庫存18,288

DTDG23YPT100

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 80MHz
功率-最大: 1.5W
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: MPT3

庫存8,046

EML17T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.12W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 120mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存3,762

EML20T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.15W

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存3,960

FA4F4M-T1B-A

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PROGRAM ADAPTER

制造商: Renesas Electronics America
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,816

FJN3302RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,820

FJN3302RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存404,472

FJN3303RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,472

FJN3303RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,114

FJN3304RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,550

FJN3304RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,642

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