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晶體管

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頁面 69/2164
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型號
描述
庫存
數量
NP062AN00A
NP062AN00A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存84,312
NP063D300A
NP063D300A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms, 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存5,706
NP0G1AE00A
NP0G1AE00A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存6,624
NP0G3A000A
NP0G3A000A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存6,876
NP0G3A300A
NP0G3A300A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存8,082
NP0G3D100A
NP0G3D100A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms, 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms, 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存2,232
NP0G3D200A
NP0G3D200A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms, 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms, 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存3,204
NP0G3D300A
NP0G3D300A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms, 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存5,058
NP0H3A300A
NP0H3A300A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存4,950
NP0J1A300A
NP0J1A300A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 125mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SSSMini6-F1
庫存3,096
NSB13211DW6T1G
NSB13211DW6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms, 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms, 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 230mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存7,452
NSB1706DMW5T1
NSB1706DMW5T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
庫存3,490
NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
庫存290,052
NSB4904DW1T1G
NSB4904DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存6,696
NSBA113EDXV6T1
NSBA113EDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存8,856
NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存8,442
NSBA114EDP6T5G
NSBA114EDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存2,700
NSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,088
NSBA114EDXV6T5
NSBA114EDXV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存7,722
NSBA114EDXV6T5G
NSBA114EDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,472
NSBA114TDP6T5G
NSBA114TDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 408mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存83,448
NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存8,298
NSBA114TDXV6T1G
NSBA114TDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,970
NSBA114TDXV6T5
NSBA114TDXV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,094
NSBA114TDXV6T5G
NSBA114TDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,904
NSBA114YDP6T5G
NSBA114YDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 408mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存3,240
NSBA114YDXV6T1
NSBA114YDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存7,488
NSBA114YDXV6T1G
NSBA114YDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,618
NSBA115EDXV6T1G
NSBA115EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,562
NSBA115TDP6T5G
NSBA115TDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 408mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存6,696