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晶體管

記錄 64,903
頁面 72/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存7,542
NSBC123EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存7,542
NSBC123EDXV6T1G
NSBC123EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存6,660
NSBC123EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存4,644
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,502
NSBC123JDP6T5G
NSBC123JDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存6,156
NSBC123JDXV6T1
NSBC123JDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存8,010
NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存8,460
NSBC123JDXV6T5
NSBC123JDXV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存6,012
NSBC123JDXV6T5G
NSBC123JDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存7,002
NSBC123JPDP6T5G
NSBC123JPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存5,976
NSBC123JPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,994
NSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存164,292
NSBC123JPDXV6T5G
NSBC123JPDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,040
NSBC123TDP6T5G
NSBC123TDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存5,688
NSBC123TPDP6T5G
NSBC123TPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存7,470
NSBC124EDP6T5G
NSBC124EDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存2,952
NSBC124EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,124
NSBC124EDXV6T1G
NSBC124EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存31,914
NSBC124EDXV6T5G
NSBC124EDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,312
NSBC124EPDP6T5G
NSBC124EPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存4,122
NSBC124EPDXV6T1
NSBC124EPDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,276
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存6,210
NSBC124EPDXV6T5G
NSBC124EPDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存7,542
NSBC124XDXV6T1
NSBC124XDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存8,550
NSBC124XDXV6T1G
NSBC124XDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存34,338
NSBC124XPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,268
NSBC124XPDXV6T5G
NSBC124XPDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,886
NSBC143EDP6T5G
NSBC143EDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存4,824
NSBC143EDXV6T1
NSBC143EDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,510