晶體管

記錄 64,903

頁面 849/2164

型號	描述	庫存
A2I08H040NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC RF LDMOS AMP 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 920MHz 增益: 30.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 25mA 功率-輸出: 9W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270-15 Variant, Flat Leads 供應商設備包裝: TO-270WB-15	庫存2,898
A2I20H060GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.84GHz 增益: 28.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 24mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270-14 Variant, Gull Wing 供應商設備包裝: TO-270WBG-15	庫存8,226
A2I20H060NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.84GHz 增益: 28.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 24mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270-15 Variant, Flat Leads 供應商設備包裝: TO-270WB-15	庫存5,346
A2I25D025GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.69GHz 增益: 31.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 59mA 功率-輸出: 3.2W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270-17 Variant, Gull Wing 供應商設備包裝: TO-270WBG-17	庫存2,574
A2I25D025NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.69GHz 增益: 31.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 59mA 功率-輸出: 3.2W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270-17 Variant, Flat Leads 供應商設備包裝: TO-270WB-17	庫存7,542
A2I25H060GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.59GHz 增益: 26.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 26mA 功率-輸出: 10.5W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270-17 Variant, Gull Wing 供應商設備包裝: TO-270WBG-17	庫存2,736
A2I25H060NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC RF LDMOS AMP 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.59GHz 增益: 26.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 26mA 功率-輸出: 10.5W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270-17 Variant, Flat Leads 供應商設備包裝: TO-270WB-17	庫存3,582
A2T07D160W04SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 803MHZ 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 803MHz 增益: 21.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 30W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-780S-4 供應商設備包裝: NI-780S-4	庫存6,066
A2T07H310-24SR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 880MHZ 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 880MHz 增益: 18.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 700mA 功率-輸出: 47W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: NI-1230-4LS2L 供應商設備包裝: NI-1230-4LS2L	庫存3,057
A2T08VD020NT1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 728MHz ~ 960MHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 48V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 40mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 105V 包裝/箱: 24-QFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 24-PQFN-EP (8x8)	庫存7,794
A2T08VD021NT1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: - 頻率: - 增益: - 電壓-測試: - 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: - 功率-輸出: - 電壓-額定: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,166
A2T09D400-23NR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 716MHz ~ 960MHz 增益: 17.8dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 400W 電壓-額定: 70V 包裝/箱: OM-1230-4L2S 供應商設備包裝: OM-1230-4L2S	庫存4,410
A2T09VD250NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 920MHz 增益: 22.5dB 電壓-測試: 48V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 65W 電壓-額定: 105V 包裝/箱: TO-270-6 Variant, Flat Leads 供應商設備包裝: TO-270WB-6A	庫存2,790
A2T09VD300NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 920MHz 增益: 21.5dB 電壓-測試: 48V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 79W 電壓-額定: 105V 包裝/箱: TO-270-6 Variant, Flat Leads 供應商設備包裝: TO-270WB-6A	庫存7,542
A2T14H450-23NR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.452GHz ~ 1.511GHz 增益: 18.8dB 電壓-測試: 31V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: - 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-1230-4L2S 供應商設備包裝: OM-1230-4L2S	庫存5,526
A2T18H100-25SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 18.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 230mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780-4S4 供應商設備包裝: NI-780-4S4	庫存649
A2T18H160-24SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 400mA 功率-輸出: 28W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S-4L2L 供應商設備包裝: NI-780S-4L2L	庫存8,658
A2T18H410-24SR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.4dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 71W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230-4LS2L 供應商設備包裝: NI-1230-4LS2L	庫存4,986
A2T18H450W19SR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.88GHz 增益: 16.5dB 電壓-測試: - 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: - 功率-輸出: 89W 電壓-額定: 30V 包裝/箱: NI-1230S-4S4S 供應商設備包裝: NI-1230S-4S4S	庫存5,274
A2T18H455W23NR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.88GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 31.5V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 1.08A 功率-輸出: 56dBm 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-1230-4L2S 供應商設備包裝: OM-1230-4L2S	庫存3,420
A2T18S160W31GSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 19.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780GS-2L2LA 供應商設備包裝: NI-780GS-2L2LA	庫存4,518
A2T18S160W31SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 19.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S-2L2LA 供應商設備包裝: NI-780S-2L2LA	庫存4,770
A2T18S162W31GSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.84GHz 增益: 20.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780GS-2L2LA 供應商設備包裝: NI-780GS-2L2LA	庫存5,364
A2T18S162W31SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.84GHz 增益: 20.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S-2L2LA 供應商設備包裝: NI-780S-2L2LA	庫存4,482
A2T18S165-12SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.995GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 148W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780-2S2L 供應商設備包裝: NI-780-2S2L	庫存8,316
A2T18S166W12SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.995GHz 增益: - 電壓-測試: - 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: - 功率-輸出: 38W 電壓-額定: 28V 包裝/箱: NI-780-2S2L 供應商設備包裝: NI-780-2S2L	庫存8,334
A2T18S260-12SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.995GHz 增益: 18.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 257W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780-2S2L 供應商設備包裝: NI-780-2S2L	庫存6,372
A2T18S260W12NR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.88GHz 增益: 18.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 280W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-880X-2L2L 供應商設備包裝: OM-880X-2L2L	庫存2,268
A2T18S261W12NR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.88GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 280W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-880X-2L2L 供應商設備包裝: OM-880X-2L2L	庫存4,842
A2T18S262W12NR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.805GHz ~ 1.88GHz 增益: 19.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: 10µA 噪聲系數: - 當前-測試: 1.6A 功率-輸出: 231W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-880X-2L2L 供應商設備包裝: OM-880X-2L2L	庫存5,366

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