晶體管

2N7225U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V SMD1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-267AB
• 包裝/箱: TO-267AB

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2N7227

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V TO-254AA

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 315mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-254AA
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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2N7227U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V SMD1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 315mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-267AB
• 包裝/箱: TO-267AB

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2N7228

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V TO-254AA

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-254AA
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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2N7228U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V SMD1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-267AB
• 包裝/箱: TO-267AB

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2N7236

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V TO-254AA

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-254AA
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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2N7236U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V SMD1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-267AB
• 包裝/箱: TO-267AB

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2N7635-GA

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 650V 4A TO-257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) (165°C)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 4A
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 324pF @ 35V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 47W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-257
• 包裝/箱: TO-257-3

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2N7636-GA

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 650V 4A TO276

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) (165°C)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 415mOhm @ 4A
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 324pF @ 35V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 125W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-276
• 包裝/箱: TO-276AA

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2N7637-GA

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 650V 7A TO-257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) (165°C)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 7A
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 35V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 80W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-257
• 包裝/箱: TO-257-3

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2N7638-GA

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 650V 8A TO276

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) (158°C)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 8A
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 35V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 200W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-276
• 包裝/箱: TO-276AA

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2N7639-GA

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 650V 15A TO-257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) (155°C)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 15A
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1534pF @ 35V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 172W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-257
• 包裝/箱: TO-257-3

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2N7640-GA

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 650V 16A TO276

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) (155°C)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 16A
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1534pF @ 35V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 330W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-276
• 包裝/箱: TO-276AA

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2SJ053600L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75Ohm @ 10mA, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 150mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SMini3-G1
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323

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2SJ0536G0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75Ohm @ 10mA, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 150mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SMini3-F2
• 包裝/箱: SC-85

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2SJ058200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 2A U-G2

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta), 10W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: U-G2
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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2SJ067400L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100mW (Ta)
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SSSMini3-F1
• 包裝/箱: SOT-723

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2SJ0674G0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100mW (Ta)
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SSSMini3-F2
• 包裝/箱: SOT-723

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2SJ162-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 160V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±15V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3P
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

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2SJ168TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 85pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 200mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SC-59
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2SJ304(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220NIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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2SJ305TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 92pF @ 3V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 200mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SC-59
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2SJ360(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 155pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PW-MINI
• 包裝/箱: TO-243AA

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2SJ360(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 155pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 500mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PW-MINI
• 包裝/箱: TO-243AA

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2SJ377(TE16R1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PW-MOLD
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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2SJ380(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220NIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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2SJ438(AISIN,A,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220NIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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2SJ438(AISIN,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220NIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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2SJ438(CANO,A,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220NIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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2SJ438(CANO,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220NIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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