晶體管

型號	描述	庫存
2SK2221-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存8,136
2SK2225-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 984.7pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3PFM 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3	庫存5,382
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PW-MOLD 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,508
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-220SM 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,020
2SK2299N Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,186
2SK2315TYTR-E Renesas Electronics America	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 1A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 173pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UPAK 包裝/箱: TO-243AA	庫存5,670
2SK2376(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FL 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存4,752
2SK2420 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V TO-220F 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,256
2SK2463T100 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: MPT3 包裝/箱: TO-243AA	庫存3,384
2SK2503TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5A DPAK 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,598
2SK2504TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5A DPAK 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,002
2SK2507(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220NIS 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,376
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,526
2SK2701A Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V TO-220F 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,590
2SK2713 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,240
2SK2715TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2A DPAK 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,902
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N) 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,156
2SK2731T146 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SMT3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,066
2SK2740 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FN 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,336
2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N) 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存6,750
2SK2803 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 450V TO-220F 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,830
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 1A DP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DP 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,202
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 85W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N)IS 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存5,400
2SK2848 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V TO-220F 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,596
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,218
2SK2883(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 75W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-220SM 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,010
2SK2887TL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 3A DPAK 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,454
2SK2916(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N)IS 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存3,348
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-3P(N)IS 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3	庫存3,672
2SK2943 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V TO-220F 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,030

2SK2221-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存8,136

2SK2225-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 15V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 984.7pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3PFM
包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3

庫存5,382

2SK2231(TE16R1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PW-MOLD
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,508

2SK2266(TE24R,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-220SM
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,020

2SK2299N

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,186

2SK2315TYTR-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 173pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UPAK
包裝/箱: TO-243AA

庫存5,670

2SK2376(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FL
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存4,752

2SK2420

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO-220F

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,256

2SK2463T100

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: MPT3
包裝/箱: TO-243AA

庫存3,384

2SK2503TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,598

2SK2504TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,002

2SK2507(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220NIS
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,376

2SK2544(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,526

2SK2701A

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V TO-220F

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,590

2SK2713

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,240

2SK2715TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2A DPAK

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,902

2SK2719(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,156

2SK2731T146

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SMT3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,066

2SK2740

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FN
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,336

2SK2744(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存6,750

2SK2803

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V TO-220F

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,830

2SK2845(TE16L1,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1A DP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DP
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,202

2SK2847(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 85W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)IS
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存5,400

2SK2848

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220F

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,596

2SK2866(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,218

2SK2883(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 75W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-220SM
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,010

2SK2887TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,454

2SK2916(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)IS
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存3,348

2SK2917(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-3P(N)IS
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

庫存3,672

2SK2943

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-220F

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,030

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