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晶體管

記錄 64,903
頁面 956/2164
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型號
描述
庫存
數量
2SK2221-E
2SK2221-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P

  • 制造商: Renesas Electronics America
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 100W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存8,136
2SK2225-E
2SK2225-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P

  • 制造商: Renesas Electronics America
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 1500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 15V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 984.7pF @ 30V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 50W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3PFM
  • 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
庫存5,382
2SK2231(TE16R1,NQ)
2SK2231(TE16R1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 370pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 20W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PW-MOLD
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,508
2SK2266(TE24R,Q)
2SK2266(TE24R,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 45A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1800pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 65W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-220SM
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,020
2SK2299N
2SK2299N

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 450V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.1Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 870pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 30W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220FN
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存3,186
2SK2315TYTR-E
2SK2315TYTR-E

Renesas Electronics America

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK

  • 制造商: Renesas Electronics America
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 3V, 4V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 450mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 173pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1W (Ta)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: UPAK
  • 包裝/箱: TO-243AA
庫存5,670
2SK2376(Q)
2SK2376(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 45A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3350pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 100W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220FL
  • 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab
庫存4,752
2SK2420
2SK2420

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 30A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存5,256
2SK2463T100
2SK2463T100

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 380mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 200pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 500mW (Ta)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: MPT3
  • 包裝/箱: TO-243AA
庫存3,384
2SK2503TL
2SK2503TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 135mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 520pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 20W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: CPT3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,598
2SK2504TL
2SK2504TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 220mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 520pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 20W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: CPT3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,002
2SK2507(F)
2SK2507(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 25A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 46mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 900pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 30W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220NIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存2,376
2SK2544(F)
2SK2544(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1300pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存3,526
2SK2701A
2SK2701A

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 450V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 720pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 35W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存4,590
2SK2713
2SK2713

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 450V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 30W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220FN
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存3,240
2SK2715TL
2SK2715TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2A DPAK

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 280pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 20W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: CPT3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存7,902
2SK2719(F)
2SK2719(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 900V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 750pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 125W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P(N)
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存6,156
2SK2731T146
2SK2731T146

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 200mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 25pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 200mW (Ta)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SMT3
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存6,066
2SK2740
2SK2740

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1050pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 30W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220FN
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,336
2SK2744(F)
2SK2744(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 50V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 45A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2300pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 125W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P(N)
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存6,750
2SK2803
2SK2803

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 450V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 2.8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 340pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 30W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存7,830
2SK2845(TE16L1,Q)
2SK2845(TE16L1,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 1A DP

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 900V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DP
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,202
2SK2847(F)
2SK2847(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 900V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 8A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2040pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 85W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P(N)IS
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存5,400
2SK2848
2SK2848

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3.8Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 290pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 30W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存7,596
2SK2866(F)
2SK2866(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 10A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2040pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 125W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存7,218
2SK2883(TE24L,Q)
2SK2883(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 750pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 75W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-220SM
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,010
2SK2887TL
2SK2887TL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 230pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 20W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: CPT3
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存3,454
2SK2916(F)
2SK2916(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 14A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 58nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2600pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 80W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P(N)IS
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存3,348
2SK2917(F)
2SK2917(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 18A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3720pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 90W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P(N)IS
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存3,672
2SK2943
2SK2943

Sanken

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-220F

  • 制造商: Sanken
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 900V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 30W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220F
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,030