1N8030-GA數據表
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制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 650V 電流-平均整流（Io） 750mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.39V @ 750mA 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 5µA @ 650V 電容@ Vr，F 76pF @ 1V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-257-3 供應商設備包裝 TO-257 工作溫度-結點 -55°C ~ 250°C |
