2N2222數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 150mA, 10V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 150mA, 10V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
