2N5830_D26Z數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 200mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 50nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 200mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 50nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |