2N7002BKT數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 290mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.6nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 260mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-75 包裝/箱 SC-75, SOT-416 |
