2SA1955FVBTPL3Z數據表
2SA1955FVBTPL3Z數據表
總頁數: 5
大小: 237.15 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了2零件號:
2SA1955FVBTPL3Z, 2SA1955FVATPL3Z
|
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 400mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 300 @ 10mA, 2V 功率-最大 100mW 頻率-過渡 130MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-723 供應商設備包裝 VESM |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 400mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 300 @ 10mA, 2V 功率-最大 100mW 頻率-過渡 130MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-101, SOT-883 供應商設備包裝 CST3 |
