2SB1495數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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2SB1495,Q(M, 2SB1495,Q(J




制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 當前-集電極截止(最大值) 10µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 2000 @ 2A, 2V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 100V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 當前-集電極截止(最大值) 10µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 2000 @ 2A, 2V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |