2SC4793數據表




制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 230V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |