2SC5439(F)數據表
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 450V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 640mA, 3.2A 當前-集電極截止(最大值) 100µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 14 @ 1A, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |