2SC6042數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC6042,T2WNLQ(J, 2SC6042,T2HOSH1Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 375V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 100mA, 800mA 當前-集電極截止(最大值) 100µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 1W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 SC-71 供應商設備包裝 MSTM |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 375V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 100mA, 800mA 當前-集電極截止(最大值) 100µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 1W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 SC-71 供應商設備包裝 MSTM |