2SD2129數據表
2SD2129數據表
總頁數: 5
大小: 156.9 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了2零件號:
2SD2129,LS4ALPSQ(M, 2SD2129,ALPSQ(M
|
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 12mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 2000 @ 1.5A, 3V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 12mA, 3A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 2000 @ 1.5A, 3V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
