2SJ661-DL-1E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 38A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 39mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 80nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4360pF @ 20V FET功能 - 功耗（最大值） 1.65W (Ta), 65W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263-2 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 38A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 39mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 80nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4360pF @ 20V FET功能 - 功耗（最大值） 1.65W (Ta), 65W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-262-3 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
